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IGBT在 零电压条件下关断,同样也能减小关断损耗,但是MOSFET在零电流条件下通时,并不能减小容性通损耗。谐振转换器(ResonantConverter ,RC),准谐振转换器(Qunsi-Tesonant Converter,QRC),多谐振转换器(Mu1ti-ResonantConverter,MRC),零电压关PWM转换器(ZVS PWM Converter).。4.1严格防止短路或接地4.2应使用绝缘工具,戴绝缘手套,必要时在工作前停用有关继电保护装置。
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现有加热电源存在的问题: 尽管我国晶体生长设备的自动化程度有了很大提高,但是在常规的直拉法温度控制环节的设计上还存在以下问题: (1)加热电源的智能化程度不高。纯模拟电路构成,单闭环控制,自动化程度偏低,功率的调节常滞后于系统对温度的实际要求。 (2)温度需要手动调节。该设备在运行过程当中不能完全到无人值守,对于引径、放肩及熔料过程的温度控制还需要工作人员通过电源柜的旋钮手动调节输出值,等径生长过程的实际控温精度与理论值也有差距,参数的设置、调节和记录均需要值守人员参与完成。分子泵,真空泵,真空流量计,plc编程,控制屏,离子泵,涡轮分子泵,螺杆真空泵,涡旋高真空泵,操作者观察窗口允许单晶直径测量范围大10”,氩气入口设置在炉盖的喉部。4、隔离阀座隔离阀座为双层水冷却结构,前圆后方,正前方设有一道圆门,可以通过圆门方便拆卸和更换籽晶夹头。圆门设有圆形观察窗。隔离阀座为隔离阀了及活动空间,隔离阀的作用是为籽晶或单晶进入副炉室的通道,同时可以维持上下炉室的局部压力和温度。隔离阀是翻板阀结构,阀板和阀体均是固定式双层结构,通水冷却。隔离阀座侧面设有两个籽晶位置检测窗口(激光),后部有一个氩气入口,可以实现快充氩气。5、副炉室副炉室为圆筒形腔体,双层结构,水冷却。副炉室上部前方设有一个圆形法兰,可以打用于腔体上部,法兰设有圆形观察窗。